Memoria del sistema Netac 8GB DDR4 3200MHz SODIMM (sin disipador de calor)
La Netac 8GB DDR4 3200MHz SODIMM es un módulo de memoria en línea doble (dual in-line memory module) SODIMM DDR4 SDRAM de contorno pequeño, sin búfer, diseñado para ser utilizado como memoria principal en sistemas como computadoras personales móviles. Ofrece un funcionamiento de bajo consumo y alta velocidad utilizando dispositivos DDR4 SDRAM y cuenta con contactos dorados para una conectividad fiable.
Características principales
- Capacidad de 8 GB (1 x 8 GB)
- DDR4-3200MHz SODIMM
- Sin búfer, sin ECC
- Factor de forma SODIMM de 260 pines
- Tecnología DDR4 SDRAM de bajo consumo
- Contactos de borde dorados
- Cumple con RoHS y es libre de halógenos
- Destinado a ser utilizado como memoria principal en sistemas como computadoras personales móviles
Características eléctricas
- Fuente de alimentación:
- VDD = 1.2 V (1.14 V a 1.26 V)
- VDDQ = 1.2 V (1.14 V a 1.26 V)
- VPP = 2.5 V (2.375 V a 2.75 V)
- VDDSPD = 2.25 V a 3.6 V
- Voltaje de funcionamiento: 1.2 V
Rendimiento y funcionalidad
- Dispositivos DDR4 SDRAM
- Terminación nominal y dinámica en chip (ODT) para señales de datos, estroboscopio y máscara
- Autorrefresco automático de bajo consumo (LPASR)
- Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
- Generación y calibración de VREFDQ en chip
- EEPROM I2C de detección de presencia en serie (SPD) integrada
- Corte de ráfaga (BC) fijo de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 mediante el conjunto de registro de modo (MRS)
- BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)
- Verificación de redundancia cíclica (CRC) de escritura del bus de datos
- Actualización controlada por temperatura (TCR)
- Paridad de comando/dirección (CA)
- Soporte de direccionamiento por DRAM
- Pre-fetch de 8 bits
- Topología Fly-by
- Latencia de comando/dirección (CAL)
- Bus de comandos y direcciones de control terminado
Especificaciones físicas
- Tipo de módulo: SODIMM
- Altura de la PCB: 1.18" (30.00 mm)
- Configuración de pines: 260 pines
- Contactos de borde dorados
Especificaciones técnicas
| Especificación | Detalle |
|---|---|
| Capacidad de memoria | 8 GB (1 x 8 GB) |
| Tipo de memoria | DDR4 |
| Tipo de módulo | SODIMM |
| Velocidad de memoria | DDR4-3200MHz |
| Configuración de pines | 260 pines |
| Registrada/Sin búfer | Sin búfer |
| Corrección de errores | Non-ECC |
| CL-tRCD-tRP-tRAS | 22-22-22-52 |
| Disipador de calor | Sin disipador de calor |
| Voltaje de funcionamiento | 1.2 V |
| Cumplimiento | Cumple con RoHS, libre de halógenos |
